ซีเอ็นเอช ซีรี่ส์ เอสเอ็มดี ตัวเก็บประจุแบบสามเทอร์มินัล

รายการเหล่านี้เป็นตัวเก็บประจุแบบ ชิป พิมพ์ 3-ทามินัล ซึ่งดีที่สุดสำหรับการลดสัญญาณรบกวนความถี่สูงของสายไฟ กระแสตรง การลดสัญญาณรบกวนอย่างมีประสิทธิภาพในช่วงความถี่ที่หลากหลายด้วยกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเรา ขนาดเล็ก/ความจุสูง ซีรีส์ ซีเอ็นเอช 10 และ 20 ง่ายต่อการจัดการเนื่องจากไม่มีกฎเฉพาะสำหรับทิศทางการติดตั้ง ซีรีส์ ซีเอ็นเอช 20, 31, 30 และ 32 รองรับข้อกำหนดกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ (~ 6A) และมีประสิทธิภาพในการปกป้องสายไฟ กระแสตรง จาก อีเอ็มไอ เทคโนโลยีของตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดชิปหลายชั้นถูกนำไปใช้กับโครงสร้าง 3 เทอร์มินัลนี้ และรองรับเทคโนโลยีการยึดบนพื้นผิว

รายการเหล่านี้เป็นตัวเก็บประจุแบบ ชิป พิมพ์ 3-ทามินัล ซึ่งดีที่สุดสำหรับการลดสัญญาณรบกวนความถี่สูงของสายไฟ กระแสตรง การลดสัญญาณรบกวนอย่างมีประสิทธิภาพในช่วงความถี่ที่หลากหลายด้วยกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเรา ขนาดเล็ก/ความจุสูง ซีรีส์ ซีเอ็นเอช 10 และ 20 ง่ายต่อการจัดการเนื่องจากไม่มีกฎเฉพาะสำหรับทิศทางการติดตั้ง ซีรีส์ ซีเอ็นเอช 20, 31, 30 และ 32 รองรับข้อกำหนดกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ (~ 6A) และมีประสิทธิภาพในการปกป้องสายไฟ กระแสตรง จาก อีเอ็มไอ เทคโนโลยีของตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดชิปหลายชั้นถูกนำไปใช้กับโครงสร้าง 3 เทอร์มินัลนี้ และรองรับเทคโนโลยีการยึดบนพื้นผิว

รายการเหล่านี้เป็นตัวเก็บประจุแบบ ชิป พิมพ์ 3-ทามินัล ซึ่งดีที่สุดสำหรับการลดสัญญาณรบกวนความถี่สูงของสายไฟ กระแสตรง การลดสัญญาณรบกวนอย่างมีประสิทธิภาพในช่วงความถี่ที่หลากหลายด้วยกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเรา ขนาดเล็ก/ความจุสูง ซีรีส์ ซีเอ็นเอช 10 และ 20 ง่ายต่อการจัดการเนื่องจากไม่มีกฎเฉพาะสำหรับทิศทางการติดตั้ง ซีรีส์ ซีเอ็นเอช 20, 31, 30 และ 32 รองรับข้อกำหนดกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ (~ 6A) และมีประสิทธิภาพในการปกป้องสายไฟ กระแสตรง จาก อีเอ็มไอ เทคโนโลยีของตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดชิปหลายชั้นถูกนำไปใช้กับโครงสร้าง 3 เทอร์มินัลนี้ และรองรับเทคโนโลยีการยึดบนพื้นผิว